“在去离子水（纯化水）状态下的浸没实验，157nmDUV依然有着在纯氮环境下的诸多问题无法解决。然而对于193nm的曝光是足够透明的，在193nm浸没的情况下157nm问题常见的普遍困难都不存在，几乎等同于现今处于干式介质中193nm步进式光刻机效果。”
MIT的这份报告，让现场与会的全球微影领域的顶尖大拿们纷纷失望不已，也就是在这个报告出来了以后，这几天世界微光刻领域对浸没式光刻技术纷纷发表了类似于‘至少现今技术还不成熟’的观点。
这个观点，有着这些微光刻领域专家们的真实的想法，更有着Nikon和为了能继续保持在这个领域的权威和垄断，以及已经砸进去几十亿美元的游说和新闻引导。
在这个会议上，林博士也参加了这场会议，会议的主持方要求他发言‘浸润式微影技术’。
“由于NA已经大于0。9，并且随着NA的进一步增加而回报递减，浸没式光刻可能是额外节点的关键。浸没式光刻的关键是具有在光学波长中具有足够的透射性，并且对透镜和抗蚀剂表面是惰性的。开始研究浸没流体是相对便宜的。一旦确定了流体，就必须解决许多问题；即，抗蚀剂的脱气，曝光或扫描过程中流体折射率的不均匀、流体的摩擦导致的扫描速度减慢，以及潮湿环境的混乱。——”
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这时候赵长安手里面拿的一份文件，就是在这次全球SPIE微光刻会议上，各个专家级权威的发言。
其中他看了林博士的发言的时间最长，对于别的专家的发言，基本上都是快速的浏览。
对于赵长安前一世这个会议上林博士的发言，赵长安没有看到过，因为那个时候他怎么可能对这种枯燥的技术发言感兴趣。
而现在他则是翻来覆去的看这篇很短的发言，看了半天，感觉他好像啥都没有说。
其实在这个会议上，真正最具备含金量的在赵长安看来，是MIT研发报告里面提到的那句‘在193nm浸没的情况下157nm问题常见的普遍困难都不存在，几乎等同于现今处于干式介质中193nm步进式光刻机效果。’
这句话里面暗含着一个重大的，如同窗户纸一样，却直到03年7月才开始被Sematech（m国半导体制造技术联盟，成员包括m国防部、能源部、国家实验室、国家科学委员会、国家标准及技术院、MIT，得州大学，ASML，——）捅破。
就是既然193nm在浸没式液体之中既然依然是那么的稳定，为什么一定要使用难题很多的157nm作为浸没式光源，为什么就不能依然用193nm。
而现在所有人都这么认为，既然193nm在干式介质就已经很稳定，为什么要脱了裤子放屁，要把它放在液态流体之中多此一举？
这里面唯一所欠缺的一个几乎这些技术人员都知道的常识要素，没有被他们考虑进去，就是液体和干式介质之间，不同的折射率。
实际上在赵长安的前一世，林博士在自传中说到，他在不久前的SPIE微光刻，发表了很具有重量级的发言。
“我在研讨会发表用水配合193纳米，能比干式的157纳米多增进一世代，而且比后者容易开发。结果全场轰动。我演讲后，所有交谈的时间大家都在讨论这个题目。”
实际上，似乎真的没有这个事实，因为他的发言人家留有录音，这个可真是做不得假。
（本章完）